[发明专利]无卤素气相硅蚀刻

摘要

描述了一种从图案化的异质结构中选择性地干法蚀刻硅的方法。所述方法在远程等离子体蚀刻之前任选地包括等离子体工艺。所述等离子体工艺可以使用经偏压的等离子体来处理一些结晶硅(例如，多晶硅或单晶硅)以形成非晶硅。之后，使用含氢前体形成远程等离子体，从而形成等离子体流出物。使所述等离子体流出物流入基板处理区域，以便从图案化的基板中蚀刻所述非晶硅。通过实现经偏压的等离子体工艺，在蚀刻工艺期间，无论等离子体激发的远程性质如何，都可以将通常各向同性的蚀刻转变为方向性的(各向异性的)蚀刻。

主权项

一种蚀刻基板的方法，所述方法包含以下步骤：使用局部等离子体处理所述基板，所述局部等离子体由惰性气体形成，其中处理所述基板的步骤包含以下步骤：将所述基板的结晶硅部分转变为所述基板的非晶硅部分，并且其中所述局部等离子体通过施加局部等离子体功率来激发所述局部等离子体而形成；以及蚀刻所述基板的所述非晶硅部分，其中蚀刻所述基板的所述非晶硅部分的步骤包含以下步骤：在处理所述基板之后，使等离子体流出物流入容纳所述基板的基板处理区域，其中通过使含氢前体流入流体地耦接至基板处理区域的远程等离子体区域来形成所述等离子体流出物，同时在所述远程等离子体区域中形成远程等离子体以产生所述等离子体流出物，其中在所述远程等离子体区域中形成所述远程等离子体以产生所述等离子体流出物的步骤包含以下步骤：将具有远程RF等离子体功率的远程RF等离子体施加至所述远程等离子体区域。