[发明专利]半导体装置

摘要

本发明能够利用一个警报信号输出端子输出警报用的保护动作信号和预告警报用的信号。输入到过热检测端子(OH)的表示IGBT芯片(1)的温度的信号同时被输入到检测保护动作的比较器(17)和检测预告警报的比较器(20)。在芯片温度较低的正常时，经由电阻(24)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N1)以及经由齐纳二极管(25)连接至警报信号输出端子(ALM)的晶体管(N2)处于截止状态，从而将经由外部上拉电路进行上拉后的警报信号输出端子(ALM)设为较高电平的电压。若比较器(20)检测到预告警报状态，则晶体管(N2)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为中间电平的电压，若比较器(17)检测到芯片的过热，则晶体管(N1)变为导通状态，从而将警报信号输出端子(ALM)设为较低电平的电压。

主权项

1.一种半导体装置，包括功率半导体元件及控制IC，该控制IC进行控制以驱动所述功率半导体元件且在所述功率半导体元件发生了异常时对其进行保护并输出警报，所述半导体装置的特征在于，所述控制IC包括：栅极控制电路，该栅极控制电路对所述功率半导体元件进行控制；保护警报输出电路，该保护警报输出电路在检测到所述功率半导体元件异常时将保护动作信号输出到所述栅极控制电路和警报信号输出端子；以及预告警报电路，该预告警报电路检测所述功率半导体元件发生异常的先兆，并将具有与所述保护动作信号不同电平的预告警报信号输出到所述警报信号输出端子，所述预告警报电路包括：比较器，该比较器具有与检测所述功率半导体元件的异常的阈值不同的阈值；以及多电平生成电路，该多电平生成电路根据所述保护警报输出电路输出的第1信号和所述比较器输出的第2信号，与正常时、预告警报时以及保护动作时相对应地生成不同电平的信号，并将其输出到所述警报信号输出端子，所述多电平生成电路包括：连接在所述警报信号输出端子与地之间的电阻和第1开关元件的第1串联电路；连接在所述警报信号输出端子与地之间的齐纳二极管和第2开关元件的第2串联电路；对所述第1信号进行逻辑反相的NOT电路；以及接受所述第2信号和所述NOT电路的输出信号的AND电路，利用所述第1信号控制所述第1开关元件，利用所述AND电路的输出信号控制所述第2开关元件。