[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201580017008.1 | 申请日: | 2015-03-13 |
公开(公告)号: | CN106133882B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 吉田武司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板处理装置(1)中,在腔室(21)内,从遮挡板(51)的上方向盖内部空间(231)供给气体,从而使盖内部空间(231)的气压大于本体内部空间(221)的气压,将盖内部空间(231)的气体向本体内部空间(221)送出。另外,从盖内部空间(231)流入的气体,被设置于本体内部空间(221)的基板(9)的下方的本体排出口(226a)吸引而向腔室(21)的外部排出。由此,在腔室(21)内形成大致圆筒状的气体的气流。在该大致圆筒状的气流的内部,向基板(9)的上表面(91)供给处理液,因此能够抑制处理液的雾或烟尘等,经过大致圆筒状的气流来从遮挡板(51)和盖底面部(234)之间的间隙向盖内部空间(231)进入的情况。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于对基板进行处理,所述基板处理装置具有:腔室盖部,具有下部开口,在所述下部开口的上方形成有盖内部空间;腔室本体,形成本体内部空间,并且与所述腔室盖部一起形成腔室;基板保持部,在所述本体内部空间以水平状态保持基板;处理液供给部,向所述基板的上表面供给处理液;遮挡板,配置于所述盖内部空间,与所述基板的所述上表面相向,该遮挡板能够堵塞所述下部开口;气体供给部,在所述腔室内,所述遮挡板从所述腔室盖部的所述下部开口向上方分离的状态下,该气体供给部通过从比所述遮挡板高的上方向所述盖内部空间供给气体,使所述盖内部空间的气压大于所述本体内部空间的气压,从而使所述盖内部空间的所述气体,从所述遮挡板和所述腔室盖部之间的间隙经由所述下部开口向所述本体内部空间送出;排出口,在所述本体内部空间设置于比所述基板低的下方,该排出口吸引从所述盖内部空间流入的所述气体来向所述腔室的外部排出,所述处理液供给部具有:喷出头,喷出处理液,头支撑部,该头支撑部为沿着水平方向延伸的构件,在该头支撑部的自由端部固定有所述喷出头,该头支撑部的固定端部在所述盖内部空间安装在所述腔室盖部;所述基板处理装置还具有头旋转机构,该头旋转机构使所述喷出头以所述固定端部为中心与所述头支撑部一起旋转,在向所述基板上供给处理液时,通过所述头旋转机构使所述喷出头旋转来配置于所述遮挡板和所述下部开口之间,从所述喷出头经由所述下部开口向所述基板的所述上表面喷出处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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