[发明专利]高级LTE中的TDD和FDD联合载波聚合有效
| 申请号： | 201580017174.1 | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106134266B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 蔡志军;王一平;宋毅 | 申请（专利权）人： | 黑莓有限公司 |
| 主分类号： | H04W52/54 | 分类号： | H04W52/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 余婧娜 |
| 地址： | 加拿大安大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一些实现中，用户设备(UE)中的用于支持时分双工(TDD)和频分双工联合载波聚合(CA)的方法包括从演进NodeB(eNB)接收物理上行链路控制信道(PUCCH)资源分配。PUCCH资源分配包括用于第一子帧的第一PUCCH配置和用于第二子帧的第二PUCCH配置，并且第二PUCCH配置与第一PUCCH配置不同。UE基于第一PUCCH配置，在第一子帧中发送第一组混合自动重传请求(HARQ)比特。UE基于第二PUCCH配置，在第二子帧中来发送第二组HARQ比特。 | ||
| 搜索关键词： | 高级 lte 中的 tdd fdd 联合 载波 聚合 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：从演进NodeB eNB接收PUCCH资源分配，其中，所述PUCCH资源分配包括用于第一子帧的第一PUCCH配置和用于第二子帧的第二PUCCH配置，并且所述第二PUCCH配置与所述第一PUCCH配置不同；基于所述第一PUCCH配置，在所述第一子帧中发送第一组HARQ比特；以及基于所述第二PUCCH配置，在所述第二子帧中发送第二组HARQ比特。
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