[发明专利]半导体的制造方法及晶片衬底的清洗方法在审
| 申请号： | 201580017352.0 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN106471602A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 高桥正好;高桥常二郎;田寺克己;饭田准一 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社欧普特创造 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;C11D7/04;C11D7/18;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种半导体的制造方法，所述半导体的制造方法包括将存在于经图案化的晶片衬底上的、至少上部的一部分形成有难以除去的固化改性层的光致抗蚀剂在温和的条件下简便且有效地除去的工序，以及包括所述工序的晶片衬底的清洗方法。作为其解决手段的本发明的半导体的制造方法的特征在于，包括使晶片衬底与包含含有臭氧的微小气泡的二氧化碳溶解水接触，所述晶片衬底为在经图案化的晶片衬底上存在至少上部的一部分形成有固化改性层的光致抗蚀剂的晶片衬底，从而除去上述光致抗蚀剂的工序。另外，本发明的晶片衬底的清洗方法的特征在于，包括上述工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 晶片 衬底 清洗 | ||
【主权项】：
一种半导体的制造方法，其特征在于，包括以下工序：使晶片衬底与包含含有臭氧的微小气泡的二氧化碳溶解水接触，该晶片衬底为在经图案化的晶片衬底上存在至少上部的一部分形成有固化改性层的光致抗蚀剂的晶片衬底，从而除去所述光致抗蚀剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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