[发明专利]半导体衬底的研磨方法在审
| 申请号： | 201580018016.8 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106165063A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 寺本匡志;中内辰哉;杉田规章;羽场真一;宫本明子 | 申请（专利权）人： | 霓达哈斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋融冰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体衬底的研磨方法，具有：中间研磨工序，进行研磨以使半导体衬底的表面中高度不足3nm的表面缺陷数成为全部表面缺陷数的45％以上；最后研磨工序，在所述中间研磨工序之后对所述半导体衬底进行精研磨。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的研磨方法，具有以下工序：中间研磨工序，进行研磨以使半导体衬底的表面中高度不足3nm的表面缺陷数成为全部表面缺陷数的45％以上；以及最后研磨工序，在所述中间研磨工序之后对所述半导体衬底进行精研磨。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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