[发明专利]阻气性膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201580018043.5 申请日: 2015-03-27
公开(公告)号: CN106414062B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 铃木梓;岩桥浩之;西园健史;松井茂树;原口和敏 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;B65D65/02;C08J7/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 庞东成
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供高温热水处理前后阻气性的劣化少的阻气性膜。一种阻气性膜,在基材膜上设置或不设置氧化铝蒸镀膜,进而具有阻气性涂膜,所述阻气性涂膜是涂装阻隔性涂层剂从而设置涂布层,形成具有以Si‑O‑Si键为基本骨架的网孔结构的网状结构、和在该网状结构的网孔掺入结晶的水溶性高分子作为微晶的复合膜的阻气性涂膜,所述阻隔性涂层剂是将制备缩合物的硅原子的键合状态为Q1和Q2结构的缩合物的比例达到所有硅原子的60%以上的混合溶液而得的烷氧基硅烷水解产物的缩合物溶液和具有结晶性的水溶性高分子混合而成。
搜索关键词: 气性 及其 制备 方法
【主权项】:
1.阻气性膜,其是在由高分子树脂组合物构成的基材上层合纳米复合膜而成,所述纳米复合膜由分散的高分子微晶和稳定地保持所述微晶的硅氧烷键的网状结构构成,其中,分散的高分子微晶为水溶性高分子,形成纳米复合膜的硅氧烷键是使如下轻度水解缩合物与水溶性高分子共存而形成:以由通式Si(OR)4表示的烷氧基硅烷为原料,在由Si形成的4个原子键内,有1个原子键形成硅氧烷键的结构的物质和有2个原子键形成硅氧烷键的结构的物质占所有硅原子中的60%以上的轻度水解缩合物,其中R为烷基。
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