[发明专利]发光器件和具有该发光器件的照明系统有效
申请号: | 201580018059.6 | 申请日: | 2015-03-03 |
公开(公告)号: | CN106165127B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 李浩准 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张浴月;李玉锁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 根据实施例的发光器件包括:衬底;布置在衬底上的第一缓冲层;含有Al并布置在第一缓冲层上的第二缓冲层;布置在第二缓冲层上的第一导电型半导体层;布置在第一导电型半导体层上的有源层;以及布置在有源层上的第二导电型半导体层,其中,第二缓冲层包括水平布置的第一层和第二层。第一层的Al成分比随着第一层接近第一导电型半导体层而增加,第二层的Al成分比随着第二层接近第一导电型半导体层而减少。实施例通过水平布置Al成分比呈线性增加的第一层和Al成分比呈线性下降的第二层而配置缓冲层,从而能够有效控制因衬底与第一导电型半导体层之间的晶格失配以及热膨胀系数差异所引起的应变。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 具有 照明 系统 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:衬底;第一缓冲层,布置在所述衬底上;第二缓冲层,布置在所述第一缓冲层上并且包括Al;第一导电型半导体层,布置在所述第二缓冲层上;有源层,布置在所述第一导电型半导体层上;以及第二导电型半导体层,布置在所述有源层上,其中,所述第二缓冲层包括水平布置的一个或更多第一层以及一个或更多第二层,以及所述第一层的Al成分比朝着所述第一导电型半导体层而增加,并且所述第二层的Al成分比朝着所述第一导电型半导体层而下降,其中所述第一层的宽度小于所述第二层的宽度。
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