[发明专利]半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置以及这些装置的制造方法

摘要

本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件和与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，并且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接；并且，在第一绝缘层与半导体元件之间配置有半导体元件下金属配线，半导体元件下金属配线，在第二绝缘层的下表面与金属配线电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下步骤：/n(1)在支撑基板上涂布暂时粘接剂，然后在该暂时粘接剂上形成膜厚1～20μm的第一绝缘层，所述第一绝缘层是使用抗蚀剂组合物材料来作为光固化性树脂层；/n(2)根据隔着掩模的光刻技术，对所述第一绝缘层进行图案化，形成成为贯穿电极的孔图案后，利用烘烤使所述第一绝缘层固化；/n(3)根据溅镀在所述第一绝缘层上形成晶种层，然后利用镀覆来填充所述成为贯穿电极的孔图案，形成与贯穿电极连接的金属配线，并且形成半导体元件下金属配线；/n(4)使用芯片接合剂，将高度为20～100μm的半导体元件，芯片接合至形成有所述半导体元件下金属配线的固化后的第一绝缘层上，所述半导体元件，在上部表面上露出了电极焊盘；/n(5)准备光固化性干膜，所述光固化性干膜具有膜厚5～100μm的光固化性树脂层被支撑膜与保护膜夹持的结构，该光固化性树脂层是由抗蚀剂组合物材料构成，将该步骤中准备的光固化性干膜设为具有光固化性树脂层的光固化性干膜，所述光固化性树脂层是由含有下述成分而成的化学放大型负型抗蚀剂组合物材料构成：/n(A)含硅酮骨架的高分子化合物，具有由下述通式(1)表示的重复单元且重量平均分子量是3000～500000，/n /n式(1)中，R¹～R⁴表示可以相同或不同的碳数1～8的1价烃基；m是1～100的整数；a、b、c、d是0或正数，并且a、b、c、d不能同时为0；a+b+c+d＝1；进一步地，X是由下述通式(2)表示的有机基团，Y是由下述通式(3)表示的有机基团；/n /n式(2)中，Z是选自下述中的任一种的2价有机基团，/n /nn是0或1；R⁵和R⁶分别是碳数1～4的烷基或烷氧基，相互可以不同或相同；k是0、1、2中的任一者；/n /n式(3)中，V是选自下述中的任一种的2价有机基团，/n /np是0或1；R⁷和R⁸分别是碳数1～4的烷基或烷氧基，相互可以不同或相同；h是0、1、2中的任一者；/n(B)选自下述中的1种或2种以上的交联剂：被甲醛或甲醛-醇改性而得的氨基缩合物以及在1分子中平均具有2个以上的羟甲基或烷氧基羟甲基的酚类化合物；/n(C)光致产酸剂，被波长190～500nm的光分解并产生酸；以及，/n(D)溶剂；/n(6)利用以覆盖已芯片接合后的半导体元件的方式，将所述光固化性干膜的光固化性树脂层，层压在所述第一绝缘层上，来形成第二绝缘层；/n(7)根据隔着掩模的光刻技术，对所述第二绝缘层进行图案化，同时形成所述电极焊盘上的开口、用于在与所述贯穿电极连接的金属配线上形成贯穿所述第二绝缘层的金属配线的开口以及用于形成所述贯穿电极的开口后，进行烘烤，来使所述第二绝缘层固化；/n(8)固化后，根据溅镀形成晶种层，然后利用镀覆来填充所述电极焊盘上的开口、用于形成贯穿所述第二绝缘层的金属配线的开口以及用于形成所述贯穿电极的开口，来形成半导体元件上金属焊盘、贯穿所述第二绝缘层的金属配线以及贯穿电极，并且将利用所述镀覆而形成的所述半导体元件上金属焊盘与贯穿所述第二绝缘层的金属配线，根据利用镀覆而形成的金属配线进行连接；/n(9)形成金属配线后，利用层压所述光固化性干膜的光固化性树脂层或旋涂所述光固化性干膜所使用的所述化学放大型负型抗蚀剂组合物材料，来形成第三绝缘层；/n(10)根据隔着掩模的光刻技术，对所述第三绝缘层进行图案化，在所述贯穿电极上部形成开口后，进行烘烤，来使所述第三绝缘层固化；以及，/n(11)固化后，在所述贯穿电极上部的开口处形成焊料凸块，/n在所述步骤(1)中，将所述化学放大型负型抗蚀剂组合物材料用作所述光固化性树脂层。/n