[发明专利]半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置以及这些装置的制造方法

摘要

本发明是一种半导体装置，其具有半导体元件以及与半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，其中，所述半导体装置，具有载置有半导体元件的第一绝缘层、形成于半导体元件上的第二绝缘层以及形成于第二绝缘层上的第三绝缘层；金属配线，在第二绝缘层的上表面，通过半导体元件上金属焊盘而与半导体元件电连接，且自第二绝缘层的上表面贯穿第二绝缘层并在第二绝缘层的下表面与贯穿电极电连接。据此，提供一种半导体装置，容易载置于配线基板上和积层半导体装置，即便在金属配线的密度较大的情况下，也可以抑制半导体装置翘曲。

主权项

1.一种半导体装置，其具有半导体元件以及与该半导体元件电连接的半导体元件上金属焊盘和金属配线，该金属配线与贯穿电极和焊料凸块电连接，所述半导体装置的特征在于，具有载置有所述半导体元件的第一绝缘层、形成于所述半导体元件上的第二绝缘层以及形成于该第二绝缘层上的第三绝缘层；所述金属配线，在所述第二绝缘层的上表面，通过所述半导体元件上金属焊盘而与所述半导体元件电连接，且自所述第二绝缘层的上表面贯穿所述第二绝缘层并在所述第二绝缘层的下表面与所述贯穿电极电连接。