[发明专利]用于线路中段(MOL)应用的金属有机钨的形成方法有效
| 申请号： | 201580018220.X | 申请日： | 2015-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106133878B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴立其;柳尚澔;大东和也;朴基振;吴凯;戴维·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 线路 中段 mol 应用 金属 有机 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理基板的方法，所述方法包括下述步骤：/n提供所述基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；/n将所述基板暴露于等离子体，以通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于225摄氏度；以及/n于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面，/n其中所述方法进一步包括：在沉积所述钨阻挡层之前沉积钨种晶层于所述基板顶上和所述特征内。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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