[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580018706.3 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN106165103B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 高谷秀史;斋藤顺;添野明高;山本敏雅;副岛成雅 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 徐健;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种能实现更高耐压的半导体器件及其制造方法。所提供的半导体器件具有：p型的第四区，其与栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在第二区的外侧形成于半导体基板的表面；p型的下端p型区，其与终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与下端p型区相连，并在半导体基板的表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比侧面p型区靠外周侧处，且在表面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有半导体基板、表面电极以及背面电极，对所述表面电极和所述背面电极之间进行通断切换，所述表面电极形成于所述半导体基板的表面，所述背面电极形成于所述半导体基板的背面，所述半导体器件中，所述半导体基板具有：n型的第一区，其与所述表面电极相接；p型的第二区，其与所述表面电极相接，且与所述第一区相接；n型的第三区，其配置于所述第二区的下侧，且利用所述第二区而与所述第一区分离；栅极沟槽，其从所述表面贯穿所述第一区及所述第二区而到达所述第三区；p型的第四区，其与所述栅极沟槽的下端相接；终端沟槽，其在所述第二区的外侧形成于所述表面；p型的下端p型区，其与所述终端沟槽的下端相接；p型的侧面p型区，其与所述终端沟槽的外周侧的侧面相接，且与所述下端p型区相连，并在所述表面露出；p型的多个保护环区，其形成于比所述侧面p型区靠外周侧处，且在所述表面露出；以及n型的外周n型区，其形成于比所述终端沟槽靠外周侧处，且与所述第三区相连，并将所述侧面p型区与所述多个保护环区分离，将所述多个保护环区互相分离，在所述第二区与所述终端沟槽之间的所述表面形成有分离沟槽，在与所述分离沟槽的下端相接的位置形成有p型的第五区，在所述终端沟槽与所述分离沟槽之间形成有p型的第六区，该第六区与所述终端沟槽的内周侧的侧面相接，且与所述下端p型区相连，并在所述表面露出，所述分离沟槽将所述第二区和所述第六区分离。
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