[发明专利]绝缘栅型半导体装置、以及绝缘栅型半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置，其具有半导体基板、表面电极、以及背面电极，并且对表面电极与背面电极之间进行开关，且该绝缘栅型半导体装置具有：第一外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上；第二外周沟槽，其被形成在半导体基板的表面上，并与第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于第二外周沟槽的底面上，且表面侧的端部与第五区域的背面侧的端部相比而位于背面侧；第一导电型的第七区域，其使第五区域与第六区域分离。

主权项

1.一种绝缘栅型半导体装置，具有半导体基板、被形成在所述半导体基板的表面上的表面电极、以及被形成在所述半导体基板的背面上的背面电极，并且对所述表面电极与所述背面电极之间进行开关，其中，所述半导体基板具有：第一导电型的第一区域，其与所述表面电极相接；第二导电型的第二区域，其与所述表面电极相接，并与所述第一区域相接；第一导电型的第三区域，其通过所述第二区域而与所述第一区域分离；栅极沟槽，其为多个，并被形成在所述表面上，且贯穿所述第二区域而到达所述第三区域；第二导电型的第四区域，其露出于所述栅极沟槽的底面上；第一外周沟槽和第二外周沟槽，所述第一外周沟槽和所述第二外周沟槽在所述第二区域的外侧的区域内被形成在所述表面上，并且，在所述第二区域的外侧的区域内，所述第一外周沟槽与所述第二外周沟槽被交替地形成有多个，且各个所述第二外周沟槽与各个所述第一外周沟槽相比而较深；第二导电型的第五区域，其露出于所述第一外周沟槽的底面上；第二导电型的第六区域，其露出于所述第二外周沟槽的底面上，并且，所述第二导电型的第六区域的所述表面侧的端部与第五区域的所述背面侧的端部相比而位于所述背面侧；第一导电型的第七区域，其与所述第三区域连接，并使所述第五区域与所述第六区域分离。