[发明专利]可制造的激光二极管有效
| 申请号： | 201580018833.3 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN106165218B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 迈尔文·麦克劳林;亚历山大·施泰因;许博善;埃里克·古坦;丹·施泰格瓦尔德;詹姆斯·W·拉林 | 申请（专利权）人： | 天空激光二极管有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/42;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;陈鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于制造激光二极管器件的方法包括提供具有表面区域的基板并且形成上覆表面区域的外延材料，外延材料包括n型包覆区域、包括上覆n型包覆区域的至少一个有源层的有源区、以及上覆有源层区域的p型包覆区域。外延材料被图案化以形成多个管芯，管芯中的每一个对应于至少一个激光器件。多个管芯中的每一个被转移至一个或多个载体基板，并且处理在一个或多个载体基板上的多个管芯中的至少一个。管芯利用基板封装以构造模块器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造激光二极管器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的基板；形成上覆所述表面区域的外延材料，所述外延材料包括牺牲区、n型包覆区域、包括上覆所述n型包覆区域的至少一个有源层的有源区、以及上覆所述有源区的p型包覆区域；图案化所述外延材料以形成多个管芯；通过选择性地蚀刻所述牺牲区以形成弱牺牲区，选择性地将待转移的管芯粘结至载体晶圆以及在所述弱牺牲区将待转移的管芯从所述基板分离，来将多个所述管芯中的至少一些从所述基板转移至所述载体晶圆；并且处理所述载体晶圆上的转移的管芯以形成所述激光二极管器件，其中，所述处理包括在每个转移的管芯上形成至少一个激光器脊部。
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