[发明专利]气体分配设备与具有该气体分配设备的基板处理设备有效
申请号: | 201580019354.3 | 申请日: | 2015-04-03 |
公开(公告)号: | CN106415789B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 丁锡彻;金映录;韩钟国 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/02 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种气体喷射设备与包括该气体喷射设备的基板处理设备,这样能够将处理气体均匀地注入至和多个气体喷射孔相连通的多个气体流动通道中。根据本发明的气体喷射设备包括:主体,包括与用于喷射处理气体的多个气体喷射孔相连接的多个气体流动通道;以及一个或更多个气体注入模块,耦接至所述主体的至少一个侧表面以分别与所述多个气体流动通道相连通,其中所述气体注入模块能够初次缓冲从外部供给的处理气体,以及第二次缓冲初次缓冲后的处理气体,从而将缓冲后的处理气体注入至多个气体流动通道中。 | ||
搜索关键词: | 气体 分配 设备 具有 处理 | ||
【主权项】:
1.一种气体分配设备,包括:主体,包括多个气体通路,所述多个气体通路与用于分配处理气体的多个气体分配孔相连接;以及至少一个气体注入模块,与所述主体的至少一个侧表面相连接且分别与所述多个气体通路相连通,其中,所述气体注入模块包括:第一气体缓冲空间,用于第一次缓冲从外部供给的所述处理气体;第二气体缓冲空间,用于第二次缓冲在所述第一气体缓冲空间中第一次缓冲后的所述处理气体,并且将第二次缓冲后的所述处理气体注入至所述多个气体通路中;第一气体注入模块,包括:第一气体缓冲空间和第二气体缓冲空间,用于注入第一处理气体;和第一气体注入件,与所述主体的一个侧表面相连接以覆盖所述多个气体通路的一侧;以及第二气体注入模块,包括:第一气体缓冲空间和第二气体缓冲空间,用于注入与第一处理气体相同或不同的第二处理气体;和第二气体注入件,与所述主体的在所述主体的一个侧表面的相对侧的另一侧表面相连接,以覆盖所述多个气体通路的另一侧,其中,所述第一气体注入件包括多个气体注入孔,所述多个气体注入孔分别仅与所述多个气体通路中的一些气体通路的一侧重叠,其中,所述第二气体注入件包括多个气体注入孔,所述第二气体注入件的所述多个气体注入孔分别仅与所述多个气体通路中的其余气体通路的另一侧重叠。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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