[发明专利]成膜装置、有机膜的膜厚测量方法以及有机膜用膜厚传感器在审
| 申请号： | 201580020079.7 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106232858A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 伊藤敦;深尾万里;小林义和 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/12;G01B7/06;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)11017 | 代理人： | 韩登营;蒋国伟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能进行有机膜的成膜速率控制和高精度膜厚测量的成膜装置、有机膜的膜厚测量方法和有机膜用膜厚传感器。成膜装置(10)具有真空腔室(11)、有机材料源(12)、基板架(13)、膜厚传感器(14)和测量单元(17)。有机材料源(12)配置于真空腔室(11)的内部，能放出有机材料粒子。基板架(13)被构成为使其与有机材料源(12)相向配置且可保持基板(W)。膜厚传感器(14)配置在真空腔室(11)的内部且具有石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器具有4MHz以下的基本频率。测量单元(17)根据所述石英晶体谐振器的谐振频率的变化来测量在基板架(13)上的基板(W)上沉积的有机膜的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 有机 测量方法 以及 膜用膜厚 传感器 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其特征在于，具有：真空腔室；有机材料源，其配置于所述真空腔室的内部，且能放出有机材料粒子；基板架，其与所述有机材料源相向配置，且被构成为能保持基板；膜厚传感器，其配置在所述真空腔室的内部，且具有石英晶体谐振器，该石英晶体谐振器具有4MHz以下的基本频率；和测量单元，其根据所述石英晶体谐振器的谐振频率的变化，来测量在所述基板架上的基板上沉积的有机膜的膜厚。
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