[发明专利]用于EUV光刻的防护薄膜组件有效
申请号: | 201580020112.6 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN106233202B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 安镇浩;李宰旭;洪成哲;李勝旻;李吉馥;金正植;金廷桓 | 申请(专利权)人: | 汉阳大学校产学协力团 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;H01L21/027 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王秀君;鲁恭诚 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件。所述用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一结合层和具有碳纳米结构的强度增强层,其中,第一结合层增强第一无机层与强度增强层之间的结合力,通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来提高防护薄膜组件膜的强度。此外,根据另一示例,提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件和一种用于制造所述防护薄膜组件的方法。用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔且由消光系数为0.02或更小的材料制成的多孔薄膜,其中,所述孔具有1μm或更小的直径。因此,防护薄膜组件可以被制造成具有高的EUV透射率且厚,从而确保改善的强度。 | ||
搜索关键词: | 用于 euv 光刻 防护 薄膜 组件 | ||
【主权项】:
一种用于EUV光刻的防护薄膜组件,包括:第一无机层,包括消光系数小于或等于0.02的无机材料;第一结合层,设置在第一无机层上,并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料;以及强度增强层,设置在第一结合层上,并且包括碳纳米结构,其中,第一结合层增大第一无机层与强度增强层之间的结合强度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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