[发明专利]用于EUV光刻的防护薄膜组件有效

专利信息
申请号: 201580020112.6 申请日: 2015-04-15
公开(公告)号: CN106233202B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 安镇浩;李宰旭;洪成哲;李勝旻;李吉馥;金正植;金廷桓 申请(专利权)人: 汉阳大学校产学协力团
主分类号: G03F1/64 分类号: G03F1/64;H01L21/027
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王秀君;鲁恭诚
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件。所述用于EUV光刻的防护薄膜组件包括形成在第一无机层上的第一结合层和具有碳纳米结构的强度增强层,其中,第一结合层增强第一无机层与强度增强层之间的结合力,通过包括具有碳纳米结构的强度增强层来提高防护薄膜组件膜的强度。此外,根据另一示例,提供了一种用于EUV光刻的防护薄膜组件和一种用于制造所述防护薄膜组件的方法。用于EUV光刻的防护薄膜组件是包括多个孔且由消光系数为0.02或更小的材料制成的多孔薄膜,其中,所述孔具有1μm或更小的直径。因此,防护薄膜组件可以被制造成具有高的EUV透射率且厚,从而确保改善的强度。
搜索关键词: 用于 euv 光刻 防护 薄膜 组件
【主权项】:
一种用于EUV光刻的防护薄膜组件,包括:第一无机层,包括消光系数小于或等于0.02的无机材料;第一结合层,设置在第一无机层上,并且包括具有属于儿茶酚基团的官能团的有机材料;以及强度增强层,设置在第一结合层上,并且包括碳纳米结构,其中,第一结合层增大第一无机层与强度增强层之间的结合强度。
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