[发明专利]半导体装置、包括该半导体装置的显示装置有效
| 申请号： | 201580020352.6 | 申请日： | 2015-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106256017B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 肥塚纯一;神长正美;黑崎大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;G09F9/30;H01L21/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一个方式的目的之一是在使用包含氧化物半导体的晶体管的半导体装置中抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：栅电极；栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；与氧化物半导体膜电连接的源电极；以及与氧化物半导体膜电连接的漏电极，在晶体管上设置有第二绝缘膜，在第二绝缘膜上设置有保护膜，第二绝缘膜包含氧，且保护膜包含用于氧化物半导体膜的金属元素中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n晶体管，包括：/n栅电极；/n所述栅电极上的第一绝缘膜；/n所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；/n与所述氧化物半导体膜电连接的源电极；/n与所述氧化物半导体膜电连接的漏电极；/n所述晶体管上的第二绝缘膜；以及/n所述第二绝缘膜上的保护膜，/n其中，所述第二绝缘膜包含氧，/n并且，所述保护膜包含In、Sn、Si和氧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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