[发明专利]制造碳化硅晶锭的方法、碳化硅种衬底、碳化硅衬底、半导体器件和制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201580020500.4 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN106232877A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木信 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造碳化硅晶锭的方法包括以下步骤：制备碳化硅种衬底(10a)，所述碳化硅种衬底具有第一主表面(P1)和与所述第一主表面(P1)相反地设置的第二主表面(P2)；在不高于2000℃的温度下，在所述第二主表面(P2)上形成金属碳化物膜(11)；以及在通过支承构件(51a)支承上面形成有所述金属碳化物膜(11)的所述碳化硅种衬底(10a)的同时，通过升华在所述第一主表面(P1)上生长碳化硅单晶(100)。在生长步骤中，被所述支承构件(51a)支承的所述碳化硅种衬底(10a)的表面的被支承部分(SD)处于除了其中已经形成所述金属碳化物膜(11)的区域之外的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 方法 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅晶锭的方法，包括以下步骤：制备碳化硅种衬底，所述碳化硅种衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反地设置的第二主表面；在不高于2000℃的温度下，在所述第二主表面上形成金属碳化物膜；以及在通过支承构件支承上面形成有所述金属碳化物膜的所述碳化硅种衬底的同时，通过升华，在所述第一主表面上生长碳化硅单晶，在生长步骤中，被所述支承构件支承的所述碳化硅种衬底的表面的被支承部分处于除了已经形成所述金属碳化物膜的区域之外的区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社，未经住友电气工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580020500.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
