[发明专利]贴合式SOI晶圆的制造方法

摘要

本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨多晶硅层的表面的步骤，于贴合晶圆的贴合面形成绝缘膜的步骤，透过绝缘膜将基底晶圆的多晶硅层的研磨面与贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，堆积多晶硅层的步骤进一步包含于贴合晶圆的堆积多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长。借此，即使在用以作为载子捕陷层而运作的多晶层的厚度已堆积至充分的厚度时，也能抑制基底晶圆的翘曲的扩大，同时防止多晶硅的单晶化。

主权项

1.一种贴合式SOI晶圆的制造方法，为关于将均以单晶硅所构成的贴合晶圆及基底晶圆透过绝缘膜贴合的贴合式SOI晶圆的制造方法，其中包含：将该基底晶圆的贴合面侧堆积多晶硅的步骤，研磨该多晶硅层的表面的步骤，于该贴合晶圆的贴合面形成该绝缘膜的步骤，透过该绝缘膜将该基底晶圆的该多晶硅层的研磨面与该贴合晶圆贴合的步骤，以及将经贴合的该贴合晶圆薄膜化而形成SOI层的步骤；使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆，该堆积多晶硅层的步骤进一步包含于基底晶圆的堆积该多晶硅层的表面预先形成氧化膜的阶段，该多晶硅层的堆积分为二个阶段进行，包含以1010℃以下的第一温度进行的第一成长，及以较第一温度更高温的第二温度进行较第一成长更厚的堆积的第二成长，使该第一温度为900℃以上，该第二温度为1100℃以上，于第一成长及第二成长中，使用三氯氢硅做为原料气体，于常压下堆积该多晶硅层，该氧化膜是由湿洗所形成，厚度为0.3nm以上、10nm以下。