[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号： | 201580020853.4 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106233427B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木满;三浦达也;大野利弘;小野和宗;远藤翔子;北原竜 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 以及 程序 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，具备按照加工制程中设定的处理过程来控制基板的处理的控制部，其中，所述加工制程与将所述处理过程按功能进行区分且单元化而得到的多个部分制程链接，所述控制部按照所链接的所述多个部分制程中设定的处理过程来控制基板的处理，所述多个部分制程包括设定了基板的处理所特有的处理过程的部分制程和设定了基板的处理所共通的处理过程的部分制程，设定了所述特有的处理过程的部分制程包括设定了将基板的处理所特有的处理过程划分为多个工序时的各工序的处理过程的多个部分制程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580020853.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
