[发明专利]用高能隙(EG)材料钝化太阳能电池的光接收表面在审
申请号: | 201580021016.3 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN106663700A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 迈克尔·C·约翰逊;基兰·马克·特雷西;林承笵;哈拉·费尔南德斯·马丁;佩里纳·雅弗雷努;朱利安·佩诺 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/0745 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 顾丽波,井杰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了用高能隙(Eg)材料钝化太阳能电池的光接收表面的方法以及所得的太阳能电池。在一个例子中,太阳能电池包括具有光接收表面的基板。在所述基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有III族氮化物材料层。在另一个例子中,太阳能电池包括具有光接收表面的基板。在所述基板的所述光接收表面上设置有钝化介电层。在所述钝化介电层上方设置有大的直接带隙材料层,所述大的直接带隙材料层具有至少约3.3的能隙(Eg)。在所述大的直接带隙材料层上设置有抗反射涂覆(ARC)层,所述ARC层包含不同于所述大的直接带隙材料层的材料。 | ||
搜索关键词: | 高能 eg 材料 钝化 太阳能电池 接收 表面 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:具有光接收表面的基板;设置在所述基板的所述光接收表面上的钝化介电层;和设置在所述钝化介电层上方的III族氮化物材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的