[发明专利]具有选择性地耦合的栅极端子的差分共源共栅放大器有效
| 申请号： | 201580021230.9 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106233621B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | A·N·L·陈;G·S·T·约 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/24 | 分类号： | H03F3/24;H03F3/45;H03F3/72;H03G1/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置包括差分共源共栅放大器，该差分共源共栅放大器包括第一晶体管(304)和第二晶体管(306)。该装置还包括晶体管(320)，该晶体管(320)包括被耦合到差分共源共栅放大器的第一晶体管(304)的栅极端子(312)的源极端子。该晶体管(320)还包括被耦合到差分放大器的第二晶体管(306)的栅极端子(314)的漏极端子。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 选择性 耦合 栅极 端子 差分共源共栅 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种选择性地耦合晶体管的栅极端子的装置，包括：/n差分共源共栅放大器，其包括第一共源共栅晶体管和第二共源共栅晶体管；以及/n晶体管，其包括：/n源极端子，其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第一共源共栅晶体管的栅极端子；/n漏极端子，其被耦合到所述差分共源共栅放大器的所述第二共源共栅晶体管的栅极端子；以及/n被配置为接收使能信号的端子，所述晶体管被配置为基于所述使能信号具有第一值而选择性地将所述第一共源共栅晶体管的所述栅极端子耦合到所述第二共源共栅晶体管的所述栅极端子，所述晶体管还被配置为响应于所述使能信号具有第二值而将所述第一共源共栅晶体管的所述栅极端子与所述第二共源共栅晶体管的所述栅极端子实质上隔离；以及/n第一高阻抗元件，其被耦合到所述晶体管的所述源极端子，其中所述第一高阻抗元件包括第一电阻器或第一电感器。/n
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