[发明专利]形成阵列的多个铁电场效晶体管及其形成方法

摘要

本发明揭示一种铁电场效晶体管，其包括半导电沟道，所述半导电沟道包括对置侧壁及高度上最外顶部。源极/漏极区域在所述沟道的对置末端处。所述晶体管的栅极构造包括沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸的内部电介质。内部导电材料高度上且横向从所述内部电介质向外且沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸。外部铁电材料高度上从所述内部导电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸。外部导电材料高度上从所述外部铁电材料向外且沿着所述沟道延伸。揭示其它构造及方法。

主权项

1.一种铁电场效晶体管，其包括：/n半导电沟道，其包括对置侧壁及高度上最外顶部；/n源极/漏极区域，其在所述沟道的对置末端处；及/n栅极构造，其包括：/n内部电介质，其沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸；/n内部导电材料，其高度上且横向从所述内部电介质向外且沿着所述沟道顶部且横向沿着所述沟道侧壁延伸；/n外部铁电材料，其高度上从所述内部导电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸；及/n外部导电材料，其高度上从所述外部铁电材料向外且沿着所述沟道顶部延伸，/n其中所述外部导电材料、所述外部铁电材料及所述内部导电材料全部具有高度上从所述沟道向外的相对于彼此横向重合的至少两对两个横向对置垂直侧壁。/n