[发明专利]半导体装置及半导体模组在审
申请号: | 201580021556.1 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN106233454A | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 安田英司;大辻通也;正田笃哉;田口晶英 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/78;H02J7/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明以削减搭载在印刷布线板上的零件件数、缩小零件的搭载面积为目的。本发明的MOSFET型半导体装置,是由形成在半导体基板内的多个半导体层形成晶体管并具有源极电极、栅极电极、漏极电极及栅极绝缘膜的MOSFET型半导体装置,其特征在于,具备形成在半导体基板的第一主面上的绝缘膜、形成在绝缘膜上并与漏极电极电连接的电阻膜、和形成在电阻膜上而成为面安装端子的电阻电极。通过该结构,能够削减搭载到印刷布线板上的零件件数而缩小零件的搭载面积,并且能够将在电阻膜中发生的热向印刷布线板侧传递,所以能够防止MOSFET的因热带来的误动作。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 模组 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,在半导体基板上集成有在将多个电池充电的充电电路中使用的单元平衡电路的放电开关用的MOSFET,其特征在于,还在上述半导体基板上集成有放电电阻,在该放电电阻之上集成有电阻电极;上述放电电阻具有:第一端子面,与上述MOSFET的漏极端子电连接;第二端子面,与上述电阻电极连接;以及绝缘面,将上述第一端子面与上述第二端子面之间绝缘;上述第二端子面,在上述放电电阻的上表面的除了上述第一端子面和上述绝缘面以外的全部区域中与上述电阻电极接触而电连接;上述半导体装置,在其上表面与搭载有上述单元平衡电路的安装基板的零件安装面对置而被搭载时,上述电阻电极与上述安装基板的上述零件安装面上的端子接合部通过能够电导通的接合件而接合;在上述多个电池中的1个电池放电时,作为上述1个电池的两极端子的两个端子分别与上述电阻电极和上述MOSFET的源极端子电连接,并且上述MOSFET的上述漏极端子与上述源极端子之间被进行导通控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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