[发明专利]半导体元件的驱动装置有效
申请号: | 201580021597.0 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN106464249B | 公开(公告)日: | 2020-03-03 |
发明(设计)人: | 赤羽正志 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H02M7/48;H03K7/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡秋瑾 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体元件的驱动装置中,即使在高侧电源电压降低的情况下,也能够可靠地将电源电压降低异常传递至低侧。利用电阻(R1、R2)检测高侧电路的高侧电源电压(VB),在由一对NMOS元件(MN1、MN2)构成的电流反射镜电路与由一对PMOS元件(MP1、MP2)构成的电流反射镜电路之间插入NMOS元件(MN3),根据高侧电源电压(VB)的电压值改变对电容器(C1)进行充电的电流(i2),从而改变比较器(CMP1)所产生的时钟脉冲(CLK)的频率。通过随着高侧电源电压(VB)的降低而增大脉冲宽度,对于向电平降低电路的电流供给量的降低进行补偿,从而能够可靠地向低侧电路侧传递信号。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 驱动 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体元件的驱动装置,具有驱动以半桥方式连接的上位侧和下位侧的半导体元件的高侧电路和低侧电路、和用于向所述低侧电路通知所述高侧电路的异常的电平降低电路,其特征在于,所述高侧电路具有电压降低检测部和脉冲生成电路,所述电压降低检测部检测所述高侧电路的主电源的电压降低异常;所述脉冲生成电路在所述电压降低检测部检测到所述电压降低异常时生成供给至所述电平降低电路的脉冲信号,所述脉冲生成电路在所述电压降低检测部检测到所述电压降低异常时,根据所述高侧电路的主电源的电压降低而使所述脉冲信号的频率降低。
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