[发明专利]器件输入保护电路在审
| 申请号： | 201580021635.2 | 申请日： | 2015-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106233628A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 邓石梅;吕杰 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 黄涛;陈岚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于保护输入电路的部件的输入保护电路。该输入保护电路包括可复位熔丝，所述可复位熔丝充当电流限制集成电路以维持最大电流，使得该电路能够在具有较小电流的正常操作范围中运转。齐纳二极管能够测量电路的电压并且控制金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）以避免模拟信号输入的影响。如果电压输入小于齐纳二极管击穿电压，则MOSFET断开。如果电压输入高于齐纳二极管击穿电压，则齐纳二极管击穿，电流经由MOSFET直接流到地。如果电流高于可复位熔丝跳闸电流，则可复位熔丝将关断，直到可复位熔丝被复位为止。在可复位熔丝被复位之后保护电路重启。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 输入 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种输入保护电路，包括：可复位熔丝，所述可复位熔丝充当电流限制集成电路以维持最大电流，使得所述电流限制集成电路在具有较小电流的正常范围中运转；以及齐纳二极管，其测量输入电路电压并且控制金属氧化物半导体场效应晶体管以避免信号输入的影响并且由此限制与所述输入电路相关联的电压输入和电流输入，同时保护所述输入电路的部件不受损坏。
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