[发明专利]用于制造带有比其他区相对更厚的局部受控区的薄半导体晶片的方法和装置以及这种晶片有效
| 申请号： | 201580021644.1 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106233468B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | E.M.萨赫斯;R.荣茨克;A.L.罗伦斯;R.L.华莱士;G.D.S.哈德尔森 | 申请（专利权）人： | 1366科技公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠伟进;张涛<国际申请>=PCT/US |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在受控位置处带有更厚区和薄区的半导体晶片可以用于光电。内部可以少于180微米或更薄至50微米，带有在180‑250微米处的更厚部分。薄晶片具有更高的效率。更厚的周界提供加工强度。更厚的条带、着陆台、和岛状物用于金属化耦合。晶片可以从模板上的熔化物直接制得，所述模板带有被布置成对应于相对厚度的位置的不同热提取倾向的区。间隙氧少于6x1017 atoms/cc，优选地少于2x1017，总氧少于8.75x1017 atoms/cc，优选地少于5.25x1017。更厚的区邻近具有相对更高热提取倾向的模板区形成；更薄的区邻近带有更小提取倾向的区。更厚的模板区具有更高的提取倾向。在模板上的功能材料也具有不同的提取倾向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 带有 其他 相对 局部 受控 半导体 晶片 方法 装置 以及 这种 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，包括：/na.第一表面；以及/nb.第二表面；/nc.带有与第一表面正交的方向上的第一平均厚度的第一区；/nd.带有厚于第一平均厚度的第二平均厚度并且在受控位置中的第二区；/ne.少于6x1017atoms/cc的间隙氧含量；以及/nf.少于8.75x1017atoms/cc的总氧含量。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
