[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

在IGBT部(21)中，发射电极(8)通过埋入到第1接触孔(9a)的接触插塞(14)与n⁺型发射区(6)和p⁺型接触区(7)电连接。p型基区(2)、沟槽(3)、发射电极(8)和层间绝缘膜(9)从IGBT部(21)起遍及FWD部(22)而设置。在FWD部(22)中，发射电极(8)被埋入到第2接触孔(9b)并与p型基区(2)直接连接。FWD部(22)的沟槽(3)的间距W(12)大于IGBT部(21)的沟槽(3)的间距(W11)。第2接触孔(9b)的宽度(W22)大于第1接触孔(9a)的宽度(W21)。由此，在谋求微细化的沟槽栅型的RC‑IGBT中能够实现良好的二极管特性。

主权项

1.一种半导体装置，该半导体装置在成为第1导电型的漂移层的半导体基板上具备设有绝缘栅双极型晶体管的第1元件区和设有二极管的第2元件区，该半导体装置的特征在于，具备：/n多个沟槽，在所述半导体基板的正面从所述第1元件区起遍及所述第2元件区而设置；/n栅电极，其隔着栅极绝缘膜而设置在所述多个沟槽的至少一部分的沟槽的内部；/n第2导电型的基区，其设置在所述第1元件区的相邻的所述沟槽之间；/n第2导电型的阳极区，其设置在所述第2元件区的相邻的所述沟槽之间；/n第1导电型的发射区，其选择性地设置在所述基区的内部；/n第2导电型的第1接触区，其选择性地设置在所述基区的内部，并且所述第1接触区的杂质浓度比所述基区的杂质浓度高；/n层间绝缘膜，其覆盖所述栅电极；/n第1接触孔，其沿深度方向贯穿所述层间绝缘膜，使所述发射区和所述第1接触区露出；/n第2接触孔，其沿深度方向贯穿所述层间绝缘膜，使所述阳极区露出；/n接触插塞，其被埋入到所述第1接触孔，并与所述发射区和所述第1接触区接触；/n第1电极，其与所述接触插塞接触并且被埋入到所述第2接触孔而与所述阳极区接触；/n第2导电型的集电区，其在所述第1元件区中被设置在所述半导体基板的背面；/n第1导电型的阴极区，其在所述第2元件区中被设置在所述半导体基板的背面；以及/n第2电极，其与所述集电区和所述阴极区接触，/n所述接触插塞至少包括：钛层，与所述发射区和所述第1接触区接触；以及钨层，与所述第1电极接触，/n所述第1电极包括以铝为主要成分的金属。/n