[发明专利]氰系电解镀金浴及使用其的凸点形成方法有效
| 申请号： | 201580022227.9 | 申请日： | 2015-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN106460213B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 古川诚人 | 申请（专利权）人： | 美泰乐科技（日本）股份有限公司 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;C25D5/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种氰系电解镀金浴，其含有：作为金源的氰化金盐，按金浓度计0.1～15g/L；草酸盐，按草酸计2.5～50g/L；无机酸传导盐5～100g/L；水溶性多糖类0.1～50g/L；和结晶调节剂，按金属浓度计0.1～100mg/L，其可以形成热处理后的膜硬度为70～120HV的金凸点。 | ||
| 搜索关键词： | 电解 镀金 使用 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.金凸点形成用氰系电解镀金浴，其特征在于，含有：作为金源的氰化金盐，按金浓度计0.1～15g/L，草酸盐，按草酸计2.5～50g/L，无机酸传导盐，5～100g/L，水溶性多糖类，0.1～50g/L，和结晶调节剂，按金属浓度计0.1～100mg/L；上述水溶性多糖类抑制热处理后的金的重结晶化。
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