[发明专利]晶体硅系太阳能电池、晶体硅系太阳能电池模块及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580022564.8 申请日: 2015-04-09
公开(公告)号: CN106463561B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 宇都俊彦;足立大辅;宇津恒 申请(专利权)人: 株式会社钟化
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 沈雪
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种不期望的金属的析出及金属向硅基板内的扩散等得到抑制、且在背面侧的整个面上形成了镀金属电极层的晶体硅系太阳能电池。本发明的晶体硅系太阳能电池在n型晶体硅基板(1)的第一主面(51)上具备第一本征硅系薄膜(2)、p型硅系薄膜(3)、第一透明电极层(4)及图案集电极(11),在第二主面(52)上具备第二本征硅系薄膜(7)、n型硅系薄膜(8)、第二透明电极层(9)及镀金属电极(21)。在第一主面的周边具有除去了第一透明电极层(4)和第二透明电极层(9)间的短路的绝缘区域。镀金属电极(21)形成于第二透明电极层(9)上的整个区域。
搜索关键词: 晶体 太阳能电池 模块 它们 制造 方法
【主权项】:
1.一种晶体硅系太阳能电池的制造方法,该晶体硅系太阳能电池具备:n型晶体硅基板,其具有第一主面、第二主面以及侧面;依次形成于所述n型晶体硅基板的第一主面上的第一本征硅系薄膜、p型硅系薄膜、第一透明电极层及图案集电极;依次形成于所述n型晶体硅基板的第二主面上的第二本征硅系薄膜、n型硅系薄膜、第二透明电极层及镀金属电极,所述晶体硅系太阳能电池的制造方法具有下述工序:在n型晶体硅基板的第一主面上的整个区域及侧面形成第一本征硅系薄膜的第一本征硅系薄膜形成工序;在所述第一本征硅系薄膜上形成p型硅系薄膜的p型硅系薄膜形成工序;在第一主面侧的周边以外的整个区域形成第一透明电极层的第一透明电极层形成工序;在所述n型晶体硅基板的第二主面上的整个区域及侧面成膜第二本征硅系薄膜的第二本征硅系薄膜形成工序;在所述第二本征硅系薄膜上形成n型硅系薄膜的n型硅系薄膜形成工序;及在所述n型硅系薄膜上成膜第二透明电极层的第二透明电极层形成工序,在实施上述各工序后,进一步实施镀金属电极形成工序:在第一主面的周边具有既未形成所述第一透明电极层也未形成所述第二透明电极层的绝缘区域的状态下,通过电镀法在所述第二透明电极层上的整个面上形成镀金属电极。
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