[发明专利]钨系电容器元件的制造方法在审
| 申请号： | 201580022828.X | 申请日： | 2015-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106463266A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 内藤一美;田村克俊 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;H01G9/00;H01G9/042;H01G9/052 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 王潇悦;段承恩 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LC特性良好的电容器元件的制造方法，所述制造方法在对以钨为主成分的粉进行成形后烧结得到阳极体并在所述阳极体的表层部形成电介质层的化学转化工序，然后在所述电介质层上依次形成半导体层和导电体层，所述制造方法的特征在于，在形成所述电介质层形成之前，具有将形成于所述阳极体的外表面和细孔内表面的表层部的自然氧化被膜以使其厚度变为0.5～5.0nm的范围的方式除去的蚀刻工序，并且在‑4～18℃的温度下，到达预定电压后进行7～110分钟的所述化学转化工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器元件的制造方法，在将电介质层形成于阳极体的表层部的化学转化工序之后，在所述电介质层上依次形成半导体层和导电体层，所述阳极体是对以钨为主成分的粉进行成形后烧结而得到的，所述制造方法的特征在于，在形成所述电介质层之前具有蚀刻工序，所述蚀刻工序将在所述阳极体的外表面和细孔内表面的表层部形成的自然氧化被膜以使其厚度成为0.5～5.0nm的范围的方式除去，并且在‑4～18℃的温度下，在到达预定电压后进行7～110分钟的所述化学转化工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社，未经昭和电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580022828.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电解电容器及其制造方法
- 下一篇：干式储能装置电极及其制造方法
