[发明专利]在本体异质结光敏层P/N结的添加剂结晶在审
| 申请号： | 201580022917.4 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN106463623A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 蒂莫西·P·本德;杰里米·丹格;伯努瓦·H·莱萨德 | 申请（专利权）人： | 沙特基础工业全球技术公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413 | 代理人： | 王庆艳;刘继富 |
| 地址： | 荷兰贝亨*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了制备本体异质结光敏层、使添加剂位于本体异质结光敏层界面、或提高本体异质结光敏层效率的方法，所述方法包括以下步骤：获得包含溶剂、电子供体材料、可接受电子的材料和溶解于所述溶剂的添加剂的混合物，其中添加剂具有高(负)的结晶焓(ΔHcryst)；由混合物形成本体异质结光敏层，其中添加剂的晶体形成，并使其位于本体异质结光敏层的电子供体材料和电子受体材料之间的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 本体 异质结 光敏 添加剂 结晶 | ||
【主权项】：
一种制备本体异质结光敏层、使添加剂位于本体异质结光敏层界面、或提高本体异质结光敏层效率的方法，所述方法包括以下步骤：(1)获得包含溶剂、电子供体材料、可接受电子的材料和溶于所述溶剂的添加剂的混合物，其中所述添加剂具有高(负)的结晶焓(ΔHcryst)；(2)由所述混合物形成本体异质结光敏层，其中所述添加剂的晶体形成并位于本体异质结光敏层的电子供体材料和电子受体材料之间的界面。
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