[发明专利]制造不同掺杂的半导体的方法在审
申请号: | 201580023013.3 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN106463366A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | C.马德;C.京特;J.埃尔茨;S.马滕斯;J.莱姆库尔;S.特劳特;O.旺尼克 | 申请(专利权)人: | 赢创德固赛有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 刘维升;黄念 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及用于掺杂半导体衬底的液相法,其特征在于将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域;将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域,其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠,且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然;将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化;任选地,将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化;和将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。本发明还涉及可通过该方法获得的半导体及其用途,尤其是在太阳能电池的制造中的用途。 | ||
搜索关键词: | 制造 不同 掺杂 半导体 方法 | ||
【主权项】:
用于掺杂半导体衬底的液相法,其特征在于‑ 将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域;‑ 将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域,其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠,且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然;‑ 将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化;‑ 任选地,将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化;和‑ 将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赢创德固赛有限公司,未经赢创德固赛有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580023013.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造