[发明专利]制造不同掺杂的半导体的方法在审

专利信息
申请号: 201580023013.3 申请日: 2015-04-17
公开(公告)号: CN106463366A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: C.马德;C.京特;J.埃尔茨;S.马滕斯;J.莱姆库尔;S.特劳特;O.旺尼克 申请(专利权)人: 赢创德固赛有限公司
主分类号: H01L21/22 分类号: H01L21/22;H01L21/228;H01L31/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 刘维升;黄念
地址: 暂无信息 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于掺杂半导体衬底的液相法,其特征在于将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域;将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域,其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠,且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然;将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化;任选地,将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化;和将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。本发明还涉及可通过该方法获得的半导体及其用途,尤其是在太阳能电池的制造中的用途。
搜索关键词: 制造 不同 掺杂 半导体 方法
【主权项】:
用于掺杂半导体衬底的液相法,其特征在于‑ 将含有至少一种第一掺杂剂的第一组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第一组合物涂覆的一个或多个区域;‑ 将含有至少一种第二掺杂剂的第二组合物施加到半导体衬底的表面的一个或多个区域上,以制造半导体衬底的表面的被第二组合物涂覆的一个或多个区域,其中所述被第一组合物涂覆的一个或多个区域和所述被第二组合物涂覆的一个或多个区域不同并且没有显著重叠,且其中第一掺杂剂是n型掺杂剂且第二掺杂剂是p型掺杂剂或反之亦然;‑ 将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的区域各自完全或部分活化;‑ 任选地,将半导体衬底的表面的被第一组合物和被第二组合物涂覆的未活化区域各自氧化;和‑ 将半导体衬底加热到使掺杂剂从所述涂层扩散到所述半导体衬底中的温度。
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