[发明专利]多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅

摘要

在本发明中，暂且先通过西门子法培育出多晶硅棒，然后将该多晶硅棒在750℃～900℃的范围的温度下进行热处理而除去在结晶内部残留的应力。根据本发明人的实验，利用这种程度的低温下的热处理也可以充分地除去残余应力，而且，没有引起金属污染的风险，也没有改变多晶硅棒的各物性的风险。上述热处理可以在培育出多晶硅棒的炉内实施，也可以在培育出多晶硅棒的炉外实施。根据本发明，可以得到基于2θ‑sin²Ψ线图评价的残余应力(σ)为+20MPa以下的多晶硅棒，以该多晶硅棒作为原料培育单晶硅时，能够得到优质的单晶硅。

主权项

1.一种单晶硅的制造方法，其是以多晶硅棒作为原料、利用FZ法培育单晶硅的方法，其中，所述多晶硅棒在通过西门子法培育后，在不向硅芯线供给电力的情况下仅利用辐射热所带来的加热，以使该多晶硅棒的表面温度为750℃～900℃的范围的方式进行热处理而使结晶中的拉应力降低，从多晶硅棒的与长轴方向垂直的断面采取的圆板状试样的主面上的X射线照射区域中评价的生长方向rr的残余应力即rr方向的σ、相对于该生长方向成90度的方向θθ的残余应力即θθ方向的σ和从多晶硅棒的与长轴方向平行的断面采取的圆板状试样的主面上的X射线照射区域中评价的长轴方向zz的残余应力即zz方向的σ均为+20MPa以下，在此，所述残余应力σ基于下式，利用绘制成由X射线衍射得到的2θ‑sin²Ψ线图的点的最小二乘近似直线的斜率即Δ(2θ)/Δ(sin²Ψ)来评价，σ(MPa)＝K·[Δ(2θ)/Δ(sin²Ψ)]K＝‑(E/2(1+ν))·cotθ₀·π/180Ψ：试样面法线与晶格面法线所成的角度(deg.)θ：衍射角(deg.)K：应力常数(MPa/deg.)E：杨氏模量(MPa)ν：泊松比θ₀：无应变状态下的布拉格角(deg.)。