[发明专利]包括鳍松弛的半导体装置的制造方法及相关结构有效
| 申请号： | 201580024028.1 | 申请日： | 2015-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106537554B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·阿利贝尔;皮埃尔·莫林 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司;意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238;H01L21/84;H01L29/205;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 赵赫;张晶 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 半导体结构的制造方法涉及具有不同应力/应变状态的finFET的鳍的形成。可采用一种应力/应变状态的鳍形成n型finFET，可采用另一种应力/应变状态的鳍形成p型finFET。具有不同应力/应变状态的鳍可通过半导体材料的公共层制造。通过使用这种方法制造半导体结构和装置。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 松弛 半导体 装置 制造 方法 相关 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括：在覆盖基础衬底上的绝缘层的应变半导体材料的层中形成至少一个第一鳍，所述至少一个第一鳍具有临界长度LC以下的长度，在所述临界长度Lc以下，所述至少一个第一鳍的所述应变半导体材料将在随后在950℃和1250℃之间的一个或多个温度下进行热处理后松弛；在形成所述至少一个第一鳍后，进行在950℃和1250℃之间的一个或多个温度下的所述热处理，所述热处理使得在具有临界长度LC以下的长度的所述至少一个第一鳍内的应力松弛，以便形成至少一个松弛的第一鳍；以及在所述应变半导体材料的层中形成至少一个第二鳍；其中所述至少一个第二鳍具有所述临界长度LC以上的长度，使得在进行所述热处理的同时所述至少一个第二鳍将不会松弛，或者在进行所述热处理后形成所述至少一个第二鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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