[发明专利]载置台及等离子体处理装置有效
申请号: | 201580024261.X | 申请日: | 2015-06-01 |
公开(公告)号: | CN106463446B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 喜多川大;小泉克之;永井力;林大辅;照内怜 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/3065 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种载置台及等离子体处理装置。本发明的一实施方式的载置台具备支承部件及基座。支承部件具有:载置区域,具有加热器;及外周区域,围绕载置区域。基座具有:第1区域,在其上支承载置区域;及第2区域,围绕第1区域。第2区域中设有贯穿孔。电连接于加热器的配线穿过第2区域的贯穿孔。 | ||
搜索关键词: | 载置台 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种载置台,具备:支承部件;基座;多个配线;及其他配线,所述支承部件用于支承被处理体,且包含:陶瓷制的主体部,具有用于载置所述被处理体的载置区域、及围绕该载置区域的外周区域;一个以上的加热器,设置于所述主体部内;一个以上的第1配线层,在所述主体部内延伸,且分别电连接于所述一个以上的加热器的供电侧;一个以上的第2配线层,在所述主体部内延伸,且电连接于所述一个以上的加热器的基准电位侧;多个接点部,在所述外周区域从所述主体部露出,且分别电连接于所述一个以上的第1配线层及所述一个以上的第2配线层;静电吸附用电极,设置在所述主体部内;第3配线层,电连接于该静电吸附用电极,且设置在所述主体部内;及其它接点部,电连接于该第3配线层,且在所述外周区域从所述主体部露出,所述基座支承所述支承部件,且具有将所述载置区域支承在其上的第1区域、及将所述外周区域支承在其上的第2区域,并且在该第2区域设有分别通往所述多个接点部的多个第1贯穿孔及通往所述其它接点部的第2贯穿孔,所述多个配线穿过所述多个第1贯穿孔而分别接合于所述多个接点部,所述其它配线穿过所述第2贯穿孔而接合于所述其它接点部,所述基座具有:导电性主部,提供所述第1区域及所述第2区域;第1绝缘部,以能够拆卸的方式安装于所述主部,并提供所述多个第1贯穿孔;及第2绝缘部,以能够拆卸的方式安装于所述主部,并提供所述第2贯穿孔,所述多个配线各自包含:具有一端及另一端的可挠性的第1引线;连结于该第1引线的一端并连结于所述多个接点部中对应的接点部的第1端子;及连结于所述第1引线的另一端的第2端子,并且划分该第1端子及该第1引线所穿过的第1贯穿孔的所述第1绝缘部的内面与该第1端子之间、以及该第1绝缘部的该内面与该第1引线之间存在空间,所述其它配线包含:具有一端及另一端的可挠性的第2引线;连结于该第2引线的一端并连结于所述其它接点部的第3端子;及连结于所述第2引线的另一端的第4端子,并且划分所述第2贯穿孔的所述第2绝缘部的内面与该第3端子之间、以及该第2绝缘部的该内面与该第2引线之间存在空间,所述载置台还具备筒状的绝缘部,以包围所述第3端子的方式存在于所述第3端子与所述第2绝缘部之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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