[发明专利]固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备

摘要

本发明涉及能够抑制光电二极管的传输特性变劣的固体摄像器件、固体摄像器件制造方法和电子设备。在硅基板(25)上形成有光电二极管(42)，浮动扩散部(56)被形成为到达与光电二极管(42)的层的深度相同的深度，并且传输晶体管的栅极(55)被形成于浮动扩散部(56)与光电二极管(42)之间。沟道(44)被形成于形成有光电二极管(42)的硅基板(25)上，且该沟道(44)的打开和关闭由传输晶体管的栅极(55)控制。这种构造使得能够把累积于光电二极管(42)中的电荷沿着与深度方向垂直的方向传输至浮动扩散部，并且能够最小化由于当沿着深度方向设置传输路径时所带来的传输路径损失而造成的传输特性的任何变劣。本发明能够应用至固体摄像器件。

主权项

1.一种后侧照射型固体摄像器件，其包括：像素晶体管，所述像素晶体管形成于第一层上；光电二极管，所述光电二极管形成于第二层上，所述第二层与所述第一层在深度方向上分离；传输晶体管，所述传输晶体管被配置成控制所述光电二极管的电荷传输，其中，所述传输晶体管以埋入在所述第一层中的方式而被形成；以及浮动扩散部，所述浮动扩散部被配置成检测从所述光电二极管传输过来的电荷，其中，所述浮动扩散部形成于含有所述第二层的一个位置处。