[发明专利]甲硅烷基环戊二烯基钼和甲硅烷基烯丙基配合物及其在薄膜沉积中的应用有效
| 申请号： | 201580024681.8 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106460170B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 肖恩·盖瑞特;保罗·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 默克专利股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C07F11/00 |
| 代理公司： | 11352 北京大成律师事务所 | 代理人： | 李佳铭<国际申请>=PCT/US2015 |
| 地址： | 德国达*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
钼配合物及其在薄膜沉积中的应用，如本发明提供的CVD和ALD工艺。所述钼配合物在结构上符合通式I： |
||
| 搜索关键词： | 硅烷 基环戊二烯基钼 丙基 配合 及其 薄膜 沉积 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.一种结构符合通式Ⅰ的有机金属配合物：/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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