[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580024779.3 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463546B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 明田正俊;三浦义胜 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;陈岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置，包含：由第1导电型的SiC构成的半导体层（6）；形成在所述半导体层的多个沟槽（8）；沿各所述沟槽的内表面而形成的第2导电型柱区域（12）；配置在相邻的所述第2导电型柱区域之间的第1导电型柱区域（13）；以及埋入所述沟槽的绝缘膜（14），通过超结构造，能够提高耐压。也能够进一步包含用于缓冲第1导电型柱区域（13）的表面部的电场强度的电场缓冲部（16）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包含：由第1导电型的SiC构成的半导体层；形成在所述半导体层的多个沟槽；沿各所述沟槽的内表面而形成的第2导电型柱区域；配置在相邻的所述第2导电型柱区域之间的第1导电型柱区域；以及埋入所述沟槽的绝缘膜。
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