[发明专利]用于处理熔体的设备及方法与控制熔体内的热流的系统有效
申请号: | 201580024930.3 | 申请日: | 2015-05-12 |
公开(公告)号: | CN106458687B | 公开(公告)日: | 2020-03-13 |
发明(设计)人: | 菲德梨克·M·卡尔森;彼德·L·凯勒曼;大卫·莫雷尔;布莱恩·梅克英特许;南帝斯·德塞 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | C03B27/012 | 分类号: | C03B27/012;C03B23/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于处理熔体的设备及方法与控制熔体内的热流的系统。所述用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚,其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器,所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体,其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处,所述第二距离小于所述第一距离。 | ||
搜索关键词: | 用于 处理 设备 方法 控制 体内 热流 系统 | ||
【主权项】:
一种用于处理熔体的设备,包括:坩埚,其经配置以容纳所述熔体,所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面;以及浸没式加热器,其包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体,其中所述加热元件不接触所述熔体,所述加热元件安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处,所述第二距离小于所述第一距离。
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