[发明专利]切割形成有金属层的半导体晶片的激光加工方法和激光加工装置有效
| 申请号： | 201580025129.0 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN106463372B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 郑会闵;朴相永 | 申请（专利权）人： | EO科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01S3/10 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了切割形成有金属层的半导体晶片的激光加工方法和激光加工装置。所公开的激光加工方法使同轴传播的多个激光束透过半导体晶片，以在金属层的与半导体晶片形成边界的表面上和在与半导体晶片的一个表面邻近的位置处分别形成聚集点。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 形成 金属 半导体 晶片 激光 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光加工方法，其使用激光对包括半导体晶片和形成在所述半导体晶片的一个表面上的金属层的加工对象进行加工，所述激光加工方法包括：使沿着同轴路径行进的多个激光束透过所述半导体晶片，以分别在所述金属层的、与所述半导体晶片形成边界的表面处，以及在与所述半导体晶片的一个表面邻近的位置处形成聚焦点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
