[发明专利]晶片处理方法在审
申请号: | 201580025603.X | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106457611A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 格哈德·玛蒂;尤尔根·阿克曼 | 申请(专利权)人: | 梅耶博格公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人: | 鲁异 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及继切割(1)之后执行的晶片处理方法,该晶片处理方法包括:a)输送(2)步骤;b)第一晶片处理步骤,包括利用第一处理流体(21)灌注(4)晶片接收容器(17);c)从晶片接收容器(17)中移除(5)第一处理流体(21)的步骤;d)第二晶片处理步骤,其利用第二处理流体(22)灌注(7)晶片接收容器(17),其中优选地,第二处理流体(22)不同于第一处理流体(21):其中,晶片块(16)在步骤a)至d)期间容纳在晶片接收容器(17)中,而不在这些步骤之间从晶片接收容器(17)中移除。 | ||
搜索关键词: | 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片处理方法,所述晶片处理方法继在线锯(13)中将锭(14)、砖或芯切割(1)成多个晶片(15)从而形成晶片块(16)之后执行,所述晶片处理方法包括:a)借助于移动晶片接收容器(17)将所述晶片块(16)输送(2)到布置在所述线锯(13)外侧的至少一个晶片处理站(12、18、19)或者在所述晶片处理站内输送所述晶片块的步骤;b)第一晶片处理步骤,包括利用第一处理流体(21)灌注(4)所述晶片接收容器(17),使得所述晶片(15)变得至少部分地浸没在所述第一处理流体(21)中;c)从所述晶片接收容器(17)中移除(5)所述第一处理流体(21)的步骤;d)第二晶片处理步骤,包括利用第二处理流体(22)灌注(7)所述晶片接收容器(17),使得所述晶片(15)变得至少部分地浸没在所述第二处理流体(22)中,其中优选地,所述第二处理流体(22)不同于所述第一处理流体(21);其中,所述晶片块(16)在步骤a)至d)期间容纳在所述晶片接收容器(17)中,而不在这些步骤之间从所述晶片接收容器(17)中移除。
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