[发明专利]保护膜形成用复合片有效
| 申请号： | 201580025643.4 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106463373B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 佐伯尚哉;山本大辅;米山裕之;稻男洋一 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/20;C09J7/29;C09J201/00;H01L23/00 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的保护膜形成用复合片是具备支撑片(4)和叠层于支撑片(4)的第1面侧的保护膜形成膜(1)的保护膜形成用复合片(3)，其中，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，将支撑片(4)在130℃下加热2小时后，支撑片(4)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 保护膜 形成 复合 | ||
【主权项】：
1.一种保护膜形成用复合片，其具备：/n具有基材的支撑片、/n叠层于所述支撑片的第1面侧的保护膜形成膜、以及/n叠层于所述保护膜形成膜上的剥离片，/n其中，/n所述支撑片的第2面的算术平均粗糙度Ra1为0.47μm以上，/n将所述支撑片在130℃下加热2小时后，所述支撑片的第2面的算术平均粗糙度Ra2为0.25μm以下，/n所述基材的熔点为90～131℃。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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