[发明专利]半导体晶片、由半导体晶片单片化而得的半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201580025673.5 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106415794B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 森下敏;安井忠;木下多贺雄;佐藤知稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B24B27/06 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体晶片(1)包括：衬底(23)；层叠在衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；设置在GaN类半导体膜(24)上的多个元件区域；层叠在GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25)；和以划分上述元件区域的方式不贯通上述电介质膜地设置成格子状的具有切割槽(27)的切割区域(21)。而且，在切割槽(27)的底面(27a)，切割槽(27)的元件区域侧的端部高于或低于切割槽(27)的宽度方向(W)的中央部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 单片 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于，包括：衬底(23)；层叠在所述衬底(23)上的GaN类半导体膜(24)；多个元件区域(20)，其具有设置在所述GaN类半导体膜(24)上的半导体元件(30)和设置在所述GaN类半导体膜(24)上并且以包围所述半导体元件(30)的方式配置的金属环(22)；层叠在所述GaN类半导体膜(24)上的电介质膜(25、125、225)；和切割区域(21)，其具有切割槽(27)，该切割槽(27)在所述电介质膜(25、125、225)上具有开口，并且以划分所述元件区域(20)的方式沿着所述金属环(22)的外周，不贯通所述电介质膜(25、125、225)地设置成格子状，在所述切割槽(27)的底面，所述切割槽(27)的所述元件区域(20)侧的端部高于或低于所述切割槽(27)的宽度方向的中央部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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