[发明专利]集电体用金属箔、集电体及集电体用金属箔的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580025706.6 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN106415903B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 芦泽公一;本居徹也;小石川敦史;船户宁 申请(专利权)人: 株式会社UACJ
主分类号: H01M4/70 分类号: H01M4/70;H01M4/13;H01M4/64;H01M4/66;B21D33/00;B30B3/00;C25D7/00;H01G11/70;H01G11/86
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 龚敏;王刚
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及集电体用金属箔、集电体及集电体用金属箔的制造方法,集电体用金属箔(1)的至少一个表面被粗糙面化。在经粗糙面化的表面存在多个凹状部(4),所述凹状部(4)具有底面部(2)和包围底面部(2)且相较于底面部(2)隆起的边缘部(3)。凹状部(4)的弗雷特直径的平均Lave为0.5μm以上50μm以下。集电体用金属箔(1)适用作锂离子二次电池、钠二次电池、电双层电容器或锂离子电容器用的电极集电体。
搜索关键词: 体用 金属 集电体 制造 方法
【主权项】:
1.一种集电体用金属箔,其特征在于,其是至少一个表面被粗糙面化的集电体用金属箔、且其表面不具有活性物质,所述集电体用金属箔具有8~18μm的厚度,包含铜或铜合金,在所述被 粗糙面化的表面存在多个凹状部,所述凹状部具有底面部和边缘部,所述边缘部包围该底面部且相较于该底面部隆起,所述凹状部的弗雷特直径的平均Lave为0.5μm以上50μm以下,且90%以上的所述凹状部具有0.5~2.5μm的深度。
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