[发明专利]互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的超声换能器及相关装置和方法有效
| 申请号： | 201580025730.X | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106659464B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 乔纳森·M·罗思伯格;基思·G·菲费;内华达·J·桑切斯;苏珊·A·阿列 | 申请（专利权）人： | 蝴蝶网络有限公司 |
| 主分类号： | A61B8/00 | 分类号： | A61B8/00;B06B1/02;B81B3/00;B81B7/00;B81C1/00;H01L21/3213;H01L21/56;H01L21/768;H01L21/8238;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了形成在互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片中的微加工超声换能器，以及制造这种装置的方法。可以通过牺牲释放来去除CMOS晶片的金属化层，以产生超声换能器的腔。剩余层可以形成超声换能器的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 cmos 晶片 中的 超声 换能器 相关 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶片，包括：半导体衬底；超声换能器，其包括：腔，其对应所述CMOS晶片的被去除的第一金属化层；设置在所述腔与所述半导体衬底之间的电极；以及所述CMOS晶片的声学振动膜，其包括所述CMOS晶片的第二金属化层和介电层，所述腔设置在所述半导体衬底与所述声学振动膜之间；以及在所述半导体衬底上的集成电路，所述集成电路耦接至所述超声换能器并且被配置为控制所述超声换能器的运行。
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