[发明专利]非易失性存储器的直通阵列布线有效
申请号: | 201580025734.8 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN106463511B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | D.蒂姆高达;R.林赛;M.李 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 吴晟;付曼 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 描述用于在非易失性存储器中对接入线布线的技术。在一些实施例中,技术包括在非易失性存储器中的存储器阵列的一部分中形成一个或多个直通阵列通孔,例如在阵列区或外围区中。一个或多个接入线可通过直通阵列通孔布线,而不是在存储器阵列的阵列或外围区上方或下方的区内。这可以实现备选布线配置,并且可实现对额外接入线布线而不使非易失性存储器的块高度增加或大致增加。还描述采用这样的技术的非易失性存储器。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 直通 阵列 布线 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储器,其包括:存储器阵列,其包括在绝缘层上形成的交替介电和导电层的堆栈,所述存储器阵列进一步包括阵列区和外围区;在阵列区和外围区中的至少一个下面形成并且电耦合于所述非易失性存储器的另一个部件的结构;以及直通阵列通孔,其在所述阵列区和所述外围区中的至少一个中形成;其中所述存储器阵列的至少一个接入线通过所述直通阵列通孔布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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