[发明专利]化学气相沉积方法

摘要

一种化学气相沉积方法包括下列步骤：提供高真空室，并且在高真空室内：放置基板表面；平行于基板表面放置掩模，其中掩模包括一个或多个开口；调节基板表面和掩模之间的确定的尺寸的间隙；和利用视线传播使至少一种前体物种的多个化学前体束朝向掩模取向，所述多个化学前体束中的每一个都从独立的点状源发出，并且化学前体的分子穿过一个或多个掩模开口撞击到基板表面上以沉积在其上。至少一部分化学前体分子在分解温度下在基板表面上分解。该方法还包括调节基板表面的温度使其高于或等于化学前体分子分解温度，从而保持高于掩模温度，并且将掩模温度维持在分解温度以下，从而导致在基板表面上但不在掩模上的化学前体的分解和膜的生长；和利用加热装置加热基板表面。

主权项

1.一种化学气相沉积方法，包括下列步骤：提供高真空室，并且在所述高真空室内：放置基板表面；平行于所述基板表面放置掩模，其中所述掩模包括一个或多个开口；调节所述基板表面和所述掩模之间的确定的尺寸的间隙；和利用视线传播使至少一种前体物种的多个化学前体束朝向所述掩模取向，所述多个化学前体束中的每一个都从独立的点状源发出，并且化学前体的分子穿过一个或多个掩模开口撞击到所述基板表面上以沉积在其上；其中至少一部分化学前体分子在分解温度下在所述基板表面上分解；调节所述基板表面的温度使其高于或等于化学前体分子的分解温度，从而保持高于掩模温度，并且将所述掩模温度维持在所述分解温度以下，从而导致在所述基板表面上但不在所述掩模上的所述化学前体的分解和膜的生长，利用加热装置加热所述基板表面；其中所述化学气相沉积方法是在真空条件下操作的；其中所述基板表面放置在所述加热装置和所述掩模之间，并且平衡时的所述掩模温度(T₂)是所述基板表面的温度(T₁)的函数，所述掩模温度主要通过来自所述基板表面的辐射热交换而实现，因为所述间隙抑制通过传导进行的热传递并且高真空减小了通过对流进行的热交换。