[发明专利]铁电存储器单元及形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201580025895.7 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN106463513B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 苏密特·C·潘迪;毕磊;罗伊·E·米德;陶谦;阿绍尼塔·A·恰范 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11507 | 分类号： | H01L27/11507;H01L27/1159;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电存储器单元，其包括铁电结晶材料，所述铁电结晶材料具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构。所述铁电结晶材料本质上并非由铪(Hf)及锆(Zr)中的至少一者的氧化物组成。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 手性 中心对称 材料 包含 存储器 单元 相关 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电存储器单元，其包括：铁电结晶材料，其具有不具有通过反转中心的反转对称性的极性及手性晶体结构，其中所述铁电结晶材料包括具有极性、手性、非中心对称相的高k电介质材料，其中所述铁电结晶材料包括选自由Ti1.1Zr0.893Hf0.008O4、Ti1.92Ta1.08La3O11、Sr5Nb5O16、ZrMo2O8、Si2Y2O7及Ti0.98Zr0.02RbPO5组成的群组的三元或四元氧化物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
